MOSFET canale P IRF9Z34NPBF Infineon: 55 V, 19 A, Rds(on) 0,1 Ω, contenitore TO-220 per montaggio THT. Componente originale Infineon.
Specifiche tecniche
- Tipo del transistor: P-MOSFET
- Tensione drain-source (Vds): -55V
- Corrente di drain (Id): -19A
- Potenza dissipata: 68W
- Contenitore: TO-220
- Tensione gate-source (Vgs): ±20V
- Resistenza in conduzione Rds(on): 0,1Ω
- Montaggio: THT
- Carica di gate (Qg): 23,3nC
- Modalità: arricchito
- Codice produttore: IRF9Z34NPBF
Vendita
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